速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发 事情经过是怎样的？
发布时间：2024-05-31 15:48:45来源：
「速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发」!!!今天受到全网的关注度非常高，那么具体的是什么情况呢，下面大家可以一起来看看事情经过是怎样的！
快科技5月31日消息，三星电子在日前的“AI-PIM研讨会”上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。
eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术，与传统的DRAM内存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现更高的能效。
此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。
三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力，并已开始向智能手表等终端产品供货。
根据此前报道，三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM，并在2026年实现8nm eMRAM的量产。
现在，随着8nm eMRAM开发的基本完成，公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。
同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已达到150~160℃，完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。
以上就是关于【速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发】的相关消息了，希望对大家有所帮助！
免责声明：本答案或内容为用户上传，不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。 如遇侵权请及时联系本站删除。
